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港股存储芯片概念爆发!澜起科技、兆易创新双双创历史新高,三星HBM4报价暴涨30%

港股資訊4个月前 (02-20)186
根据黄金形态通APP报道,2026年2月19日港股存储概念板块集体爆发,澜起科技(06809.HK)涨幅超过8%,兆易创新(03986.HK)上涨近4%,两家公司股价均创上市以来历史新高。杠杆产品南方两倍做多海力士涨超7%,南方两倍做多三星电子涨超3%。核心驱动因素为三星电子就新一代HBM4高带宽内存芯片与客户展开定价谈判,报价较HBM3E提升20%–30%...

港股存储芯片概念爆发!澜起科技、兆易创新双双创历史新高,三星HBM4报价暴涨30%

根据黄金形态通APP报道,2026年2月19日港股存储概念板块集体爆发,澜起科技(06809.HK)涨幅超过8%,兆易创新(03986.HK)上涨近4%,两家公司股价均创上市以来历史新高。杠杆产品南方两倍做多海力士涨超7%,南方两倍做多三星电子涨超3%。核心驱动因素为三星电子就新一代HBM4高带宽内存芯片与客户展开定价谈判,报价较HBM3E提升20%–30%,单颗接近700美元,凸显AI算力对高端存储的极度渴求,全球存储超级周期预期进一步升温。

导读目录

港股存储概念集体走强原因

今日港股存储板块成为市场最强主线,澜起科技涨幅超8%兆易创新接近4%,双双刷新历史新高。相关杠杆ETF表现更为激进,南方两倍做多海力士涨幅逾7%,南方两倍做多三星电子涨超3%。最直接催化剂来自韩国存储巨头三星电子正在与主要客户就HBM4新一代AI专用高带宽内存进行价格谈判,拟较上一代HBM3E产品提价20%–30%,单颗芯片价格接近700美元。这一信号被市场解读为AI算力需求远超预期、存储价格进入新一轮上涨周期的明确证据,资金迅速涌入存储概念股。国内企业受益于国产替代加速及AI服务器出货持续增长,AH股联动效应进一步放大港股涨幅。

三星HBM4涨价对产业链影响

三星电子最新一代HBM4芯片定价谈判备受关注,报价较前代上涨至多30%,反映AI大模型训练与推理对超高带宽、低功耗存储的极端需求。HBM已成为GPU核心配套,已成AI算力瓶颈,三星、海力士、美光等巨头产能优先供给英伟达等大客户,导致消费级与企业级存储供应持续紧张。TrendForce最新预测显示,2026年全球DRAM产值预计同比增长144%至4043亿美元,NAND闪存产值增长112%至1473亿美元,整体存储产业产值同比飙升134%。这一轮涨价潮直接利好上游设计、模组及封装测试环节,国内厂商借势提升毛利率与全球市场份额。

澜起科技与兆易创新表现对比

澜起科技兆易创新作为存储生态关键玩家,今日双双创历史新高,但业务侧重与涨幅存在明显差异。

公司港股代码今日涨幅创上市新高核心业务受益逻辑
澜起科技06809.HK超8%内存接口芯片、CXL互连技术AI服务器DDR5/LPDDR5内存控制器需求爆发,国产替代加速
兆易创新03986.HK近4%NOR/NAND闪存、MCU消费电子、工业控制及汽车存储需求回暖,价格弹性较大

澜起科技涨幅更大,主要得益于其在AI服务器内存接口芯片领域的龙头地位,直接受益于HBM及DDR5需求爆发;兆易创新则更多受益于存储价格整体上行及消费级市场复苏。

全球存储供需与AI驱动分析

当前全球存储市场供需格局已发生根本性逆转。AI服务器出货量高速增长带动HBM需求井喷,而传统消费电子与PC市场虽缓慢复苏,但仍无法消化全部产能。头部厂商有意控产保价,三星、海力士2026年资本开支计划均上调,重点投向HBM与先进制程。国内厂商在NOR Flash、eMMC/UFS等领域市占率稳步提升,同时积极布局HBM相关封装与测试环节。整体来看,存储行业已进入新一轮超级周期,价格中枢持续上移,产业链盈利能力显著修复。

未来走势展望与风险点

多家机构对存储板块中长期保持乐观。预计2026年HBM供不应求状态将延续至2027年上半年,价格仍有进一步上行空间。国内存储设计与模组企业有望借国产替代东风实现份额与利润双增长。但需警惕风险:一是英伟达等下游大客户若调整采购节奏,可能引发短期价格波动;二是全球宏观经济若出现超预期放缓,消费电子需求复苏不及预期将拖累部分细分领域;三是地缘政治与供应链中断风险。短期内,建议关注三星、海力士后续HBM4量产进度及定价落地情况。

编辑总结:港股存储概念今日集体爆发,澜起科技兆易创新创历史新高,核心逻辑源于三星HBM4报价大幅上调,强化了AI驱动下存储超级周期预期。全球供需失衡与国产替代双轮驱动下,产业链盈利修复趋势明确。中长期配置价值突出,但需警惕下游需求波动与宏观风险带来的阶段性调整。

常见问题解答1. 为什么澜起科技涨幅明显高于兆易创新?
澜起科技核心产品为内存接口芯片(Memory Interface Chip),直接服务于AI服务器的DDR5及CXL生态,随着英伟达GB200/Blackwell等新一代GPU放量,对高性能内存控制器的需求爆发式增长,公司作为国内该领域龙头,订单与业绩弹性最大。兆易创新主营NOR/NAND闪存及MCU,更多受益于价格普涨与消费/工业市场回暖,弹性相对较小,因此今日涨幅落后。 2. 三星HBM4涨价30%会传导到国内存储公司吗?
会间接传导且幅度可观。HBM涨价直接推高AI服务器BOM成本,客户为分摊压力会接受上游其他存储产品同步提价。同时全球存储巨头控产策略已蔓延至NAND与普通DRAM,带动整体行业价格中枢上移。国内厂商虽非HBM直接供应商,但NOR、eMMC、UFS等领域已跟随国际行情补涨,毛利率修复明显。 3. 当前存储超级周期能持续多久?
多数机构判断至少持续至2027年上半年。AI算力建设仍处高速扩张期,HBM供需缺口预计2026全年维持,2027年才可能逐步缓解。同期消费电子、汽车电子等领域需求也在缓慢复苏,共同支撑行业景气度。但若AI投资增速超预期放缓,或出现新技术替代(如CXL内存扩展),周期高点可能提前到来。 4. 港股存储股与A股存储股联动性如何?
联动性较强,尤其是AH股同时上市或业务高度重合的公司。港股因外资参与度更高、对国际消息反应更快,往往率先启动;A股随后跟进形成共振。今日澜起科技、兆易创新港股创历史新高后,A股对应概念股次日大概率出现补涨或放大涨幅,建议关注资金轮动节奏。 5. 投资者现在追高存储概念是否合适?
短期追高需谨慎,板块已累计较大涨幅,存在获利了结压力。但从中长期视角,AI算力需求仍是确定性最强的成长主线,存储作为算力基础设施核心组成部分,行业景气度支撑较强。建议分批布局优质龙头,重点关注业绩兑现能力强、HBM/DDR5/CXL相关度高的公司,同时设置好止盈止损,避免情绪化追涨。

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