根据 黄金形态通APP 报道，英特尔与软银合作开发的下一代AI内存技术Z-Angle Memory（ZAM）于2026年2月3日在Intel Connection Japan 2026活动上完成全球首次公开亮相。该技术采用革命性的垂直堆叠（Z轴）架构，早期测试显示可将功耗降低40%-50%，单芯片容量最高达512GB，并通过Z-Angle互连技术显著简化生产流程，有望成为破解AI算力能耗瓶颈与HBM供应链紧张的全新解决方案。原型产品计划2027年推出，全面商业化预计2030年实现。

导读目录

• ZAM技术全球首秀与核心参数

• 垂直堆叠架构如何突破散热极限

• ZAM vs HBM：功耗、容量、带宽三大维度对比

• 软银+英特尔+东京大学SAIMEMORY联合体详解

• 商业化路径与潜在市场影响展望

ZAM技术全球首秀与核心参数

ZAM由英特尔与软银旗下SAIMEMORY联合研发，在Intel Connection Japan 2026活动上首次向公众展示原型。Wccftech报道称，早期数据显示ZAM在保持高带宽前提下，功耗较传统方案降低40%-50%，单芯片容量可达512GB（远超当前HBM主流规格），并借助Z-Angle互连技术大幅降低生产复杂度与成本。英特尔院士、英特尔政府技术部门首席技术官Joshua Fryman博士出席活动并表示：“标准内存架构已无法满足AI爆炸式需求，ZAM的新架构与组装方法在大幅提升DRAM性能的同时，显著降低功耗与成本。”

垂直堆叠架构如何突破散热极限

传统DRAM采用平面（2D）堆叠，受限于热量横向扩散，16层已接近极限，20层被视为物理天花板，功耗与散热问题日益突出。ZAM以Z轴垂直堆叠为核心创新，热量可沿Z方向均匀向上导出，大幅改善热管理能力。PC Watch报道指出，这种设计不仅实现更低功耗、更宽带宽，还能支持更高容量堆叠，彻底打破平面架构的散热瓶颈。英特尔强调，ZAM的热管理优势是其挑战HBM市场主导地位的关键所在。

ZAM vs HBM：功耗、容量、带宽三大维度对比

ZAM并非直接取代HBM，而是填补HBM高带宽与DDR高容量间的市场空白，采用英特尔下一代DRAM键合（NGDB）技术，消除传统权衡取舍，提供更高能效解决方案。

软银+英特尔+东京大学SAIMEMORY联合体详解

SAIMEMORY由软银、英特尔与东京大学于2024年12月共同创立，2025年6月正式运营，现任总裁兼CEO为Hideya Yamaguchi。软银新闻稿强调，SAIMEMORY拥有强大的合作伙伴网络，包括国内外投资者与供应链伙伴，英特尔并非唯一全球合作伙伴。Joshua Fryman博士在声明中指出，ZAM项目是英特尔应对AI内存瓶颈的战略布局，垂直堆叠与新型互连技术将重塑DRAM性能边界。软银则将此视为其AI基础设施投资组合的重要一环。

商业化路径与潜在市场影响展望

时间表方面：原型产品预计在截至2028年3月31日的财年内完成，商业化目标锁定2029财年，英特尔官方博客则称原型2027年推出、全面商业化2030年。软银与英特尔合作直指当前HBM市场由三星、SK海力士、美光高度垄断的格局，以及AI训练/推理对能耗与供应链的双重压力。ZAM若成功量产，将为AI数据中心提供更节能、高容量的替代选项，或重塑内存市场竞争格局。短期看，该技术仍处早期验证阶段，投资者需关注2027年原型实测数据与合作伙伴扩容进展。

编辑总结

英特尔与软银联合开发的Z-Angle Memory（ZAM）以垂直堆叠架构实现功耗降低40-50%、单芯片512GB容量的突破性指标，首次公开亮相标志着AI内存技术进入全新竞争阶段。该技术有效解决传统平面堆叠的散热与功耗瓶颈，定位于HBM与DDR间的性能空白，有望缓解AI算力能耗与供应链紧张的双重压力。尽管商业化仍需4-5年，但其战略意义重大，或为英特尔在内存与AI基础设施领域打开新增长路径。市场需持续跟踪原型测试进展与合作伙伴动态。

常见问题解答

问：ZAM和HBM到底谁更强？会取代HBM吗？
答：ZAM并非直接取代HBM，而是填补HBM高带宽与DDR高容量间的市场空白。HBM目前在极致带宽上领先，适合顶级AI训练；ZAM强调能效与容量平衡，功耗降40-50%、单芯片512GB更适合大规模部署与推理场景。两者将长期共存，ZAM若量产成功，将分流部分中高端需求，缓解HBM供应链压力，但短期内难以撼动HBM在顶级AI芯片中的主导地位。

问：垂直堆叠为什么能大幅降低功耗？
答：传统平面堆叠热量横向扩散，热岛效应严重，冷却难度大、功耗高。ZAM垂直（Z轴）堆叠让热量沿Z方向均匀向上导出，热传导路径更短、更均匀，散热效率显著提升。同时Z-Angle互连减少信号延迟与寄生功耗，整体架构优化进一步降低能耗。早期测试显示降幅达40-50%，是ZAM挑战HBM的核心竞争力。

问：英特尔为什么现在才推ZAM？HBM已经被三星等垄断了？
答：HBM市场确实由三星、SK海力士、美光高度垄断，英特尔此前未深度参与DRAM制造。但AI爆发后，能耗与供应链问题凸显，英特尔通过与软银、东京大学合作，借助NGDB下一代键合技术切入，避开传统路径竞争，专注垂直堆叠+能效优化新赛道。这属于英特尔在AI基础设施领域的差异化反击，时间窗口瞄准2027-2030年AI算力第二阶段爆发期。

问：对英特尔股价有何影响？现在适合买入吗？
答：ZAM首秀是中长期利好，强化英特尔在AI内存领域的技术布局与想象空间。但技术仍处原型阶段，量产需到2029-2030年，短期对业绩贡献有限。股价更多受宏观（美联储政策）、晶圆代工进展、PC/AI PC销量影响。当前估值已处历史低位，若后续原型测试数据超预期，或合作伙伴阵容扩大，将形成强催化。适合长期投资者分批布局，短期仍需关注2026-2027年英特尔整体财报与AI订单指引。

问：软银为什么投资ZAM？它在AI内存领域的野心是什么？
答：软银作为全球AI基础设施最大投资者之一（Arm、Graphcore等），持续加码AI算力后端。ZAM项目为其提供差异化内存解决方案，缓解HBM依赖与能耗瓶颈，符合其“AI everywhere”战略。软银通过SAIMEMORY整合英特尔技术、东京大学学术资源与自身资金网络，意图在下一代AI内存标准制定中占据一席之地，未来或成为AI数据中心供应链的重要一环。