英伟达据传拟推动定制化NVHBM生产

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英伟达据传拟推动定制化NVHBM生产

今日美股美股要闻关注「英伟达据传拟推动定制化NVHBM生产」。文中涉及英伟达、NVDA.US、三星电子、SK海力士。主体名称、时间、金额与行情数据以正文为准,不另作推断。

市场有消息指出,英伟达已向三星电子、SK海力士和美光科技提出要求,计划采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产定制化的NVHBM技术产品。

定制化NVHBM生产动向

有消息称,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM,即英伟达的定制HBM技术。其中,核心裸片则采用第六代DRAM技术,业内人士称定制基底裸片已成趋势。

相关企业回应与进展

面对市场传闻,三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性,10月19日,三星电子回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。

市场行情与公司表现

在资本市场表现方面,美光科技 MU.US 最新价为878.840,涨跌幅为-5.63%。同时,英伟达 NVDA.US 最新价为214.130,涨跌幅为-1.43%。

日期事项到2026年10月19日的状态
2026年10月19日英伟达要求厂商采用台积电3nm制程基底裸片生产NVHBM三星电子已决定接受技术要求,并回应称不对客户事项发表评论
2026年10月19日美光科技市场交易报价最新价878.840,涨跌-5.63%
2026年10月19日英伟达市场交易报价最新价214.130,涨跌-1.43%

编辑总结

2026年10月19日,市场传出英伟达要求三星等厂商采用台积电3nm制程基底裸片生产NVHBM的消息,三星电子表示不对客户事项发表评论,美光科技与英伟达的最新股价也随之披露。

常见问题解答

问:英伟达对NVHBM生产提出了什么要求?

回:英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM,核心裸片则采用第六代DRAM技术。

问:三星电子对该传闻作何回应?

回:三星电子已经决定接受英伟达的技术要求,并在10月19日回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。

问:美光科技和英伟达的最新报价分别是多少?

回:美光科技 MU.US 最新价为878.840,涨跌为-5.63%;英伟达 NVDA.US 最新价为214.130,涨跌为-1.43%。

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