三星得州第二座晶圆厂将为AMD与英伟达生产芯片
三星电子 AMD AMD.US 英伟达 NVDA.US 特斯拉 得克萨斯州 泰勒市

今日美股美股要闻关注「三星得州第二座晶圆厂将为AMD与英伟达生产芯片」。文中涉及三星电子、AMD、AMD.US、英伟达。主体名称、时间、金额与行情数据以正文为准,不另作推断。
韩国媒体报道显示,三星电子位于美国得克萨斯州泰勒市的第二座晶圆代工厂将承担重要生产任务,为AMD和英伟达制造高带宽内存芯片的基础裸片。
晶圆厂建设与技术规划
三星电子在得克萨斯州泰勒市筹备的第二座晶圆代工厂规模显著,其占地面积大约为270万平方英尺,整体规模约为三星首座工厂的1.5倍。该项目在工艺上将采用先进的2纳米制程技术,以满足高端芯片的制造需求。
订单分布与投产时间表
根据相关报道,这座新工厂预计在本月正式动工,其全部产能目前已经全部获得订单,其中大部分订单来源于美国超微公司 AMD.US。在后续的建设和设备安装规划中,该工厂预计于2029年2月开始安装设备,并在2030年正式启动量产。
相关上市公司与市场表现
在此次合作中涉及的多家知名企业备受瞩目,其中三星首座工厂此前已与特斯拉签订合同。在最新的市场交易中,美国超微公司 AMD.US 的最新价为466.840,涨跌幅为-7.52%;英伟达 NVDA.US 的最新价为202.060,涨跌幅为-1.26%。
| 日期 | 事项 | 到2026年11月3日的状态 |
|---|---|---|
| 周二 | 韩国媒体报道三星得州第二座晶圆厂规划 | 已通过媒体报道公开 |
| 本月 | 三星得州第二座晶圆厂预计正式动工 | 预计进行中 |
| 2029年2月 | 得州第二座工厂预计开始安装设备 | 规划中 |
| 2030年 | 得州第二座工厂预计启动量产 | 规划中 |
编辑总结
三星电子计划在得克萨斯州泰勒市建设第二座晶圆代工厂,采用2纳米制程为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片基础裸片。该厂本月预计动工且产能已全部订满,多数订单来自AMD,预计2029年装机、2030年量产。
常见问题解答
问:三星得州第二座晶圆厂将为哪些公司生产芯片?
回:该工厂将为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。
问:该工厂采用什么制程技术及规模如何?
回:该工厂将采用先进的2纳米制程技术,占地约270万平方英尺,规模约为三星首座工厂的1.5倍。
问:该工厂的订单情况如何?
回:该工厂的全部产能已获得订单,其中大部分订单来自AMD。
问:美国超微公司 AMD.US 和英伟达 NVDA.US 的最新价格是多少?
回:美国超微公司 AMD.US 最新价为466.840,涨跌-7.52%;英伟达 NVDA.US 最新价为202.060,涨跌-1.26%。

