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美光科技(MU.US)电话会议实录:DRAM处于1z技术爬坡的过程中

本文转自微信公号“湘评科技”,作者:国盛电子团队

核心摘要:

1、美光DRAM业务约占整体营收的64%,NAND Flash营收占比约30%

2、DRAM方面,处于1z技术爬坡的过程中,聚焦于改善成本、提升产品性能。

3、DRAM演进速度放缓,无论是从“单位晶圆位元增长”的角度,还是从“单位位元成本降低”的角度。

4、NAND方面,栅极技术(Replacement Gate)的进步增强了进行节点迁移的信心。美光将向128层3D NAND方向发展,是64+64层的结构。

5、NAND演进方面,64层之后,考虑到CapEx强度和工艺复杂度,单位晶圆位元增长将放缓,并在未来几年内限制成本降低的速度。

6、华为占美光收入的13%,具体影响将在6月份的业绩说明会上进行说明。

会议情况:

美光科技(MU.US)公司是美国一家总部位于爱达荷州波夕的公司,于1978年创立。其主要产品包括DRAM、NAND Flash。在最新的2019年Q2财季中,美光DRAM业务约占整体营收的64%,而NAND Flash营收占比约30%。

美光在5月23日的投资者会议上,展示了其NAND Flash和DRAM技术,以及美光未来技术的发展规划。

1. 团队

美光科技团队优秀并不断发展壮大。团队强大:全球人才推动创新,已成功纳入美国专利清单前50名和福布斯2019年“多样性最佳雇主”。广纳贤才:> 50%的研发新员工拥有硕士,博士学位;> 60%有技术与行业经验;2018年认证为优秀的工作场所。途径:通过推进STEM教育,提高好奇心,促进STEM教育和与全球顶尖大学合作等方式打造更加优秀的团队。

在全球范围内都拥有技术布局,提供世界领先的创新和执行,通过颠覆性创新加速核心技术。

生产地具有强大开发能力:核心技术研发是在美国的爱达荷州基地,Fab工厂产能分布在全球各地,其中日本主要用于生产DRAM,新加坡主要生产NAND Flash,创新的3D Xpoint是在美国犹他州,封装是在台湾省完成,美国Virginia满足汽车市场需求。

日本——DRAM

新加坡——NAND

美国犹他州——3D XPoint TM

台湾省——封装

弗吉尼亚州——汽车

2. 技术:DRAM与NAND

核心技术:业界最全面的技术组合——不断满足客户需求

DRAM/3D NAND/NOR/3D XPoint TM/3D Packaging/Emerging Technologies

Part1 DRAM

美光在1Znm产量爬坡上进展迅速,1Znm DRAM竞争地位不断提升。美光将持续推进1Znm DRAM技术和16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后,向下发展还有1α、1β、1γ,在从1Znm到1γ技术的过程中,美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益,在合适的时候用上EUV。

DRAM演进的趋势:DRAM扩展在行业趋势中面临着明显的挑战:Gb/Wafer增加更难;节点的转换成本挑战最终收益;资本支出强度持续增长。

DRAM制程演进:推动技术领先

继续降低成本提升绩效:

优化光刻方法:EUV模式对高级DRAM应用的挑战

美光采用多种模式技术优化未来DRAM节点,multiple patterning技术是很强的策略优势;验证1Znm至1γnm的成熟技术能力和成本效率;正在评估EUV用于DRAM生产。

Part 2:NAND

128层NAND,栅极技术(Replacement Gate)的进步增强了节点迁移的信心。美光将向128层3D NAND方向发展,是64+64层的结构。为了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势,美光在128层3D NAND技术将从Floating Gate浮栅向栅极技术过渡,在阵列技术下继续使用CMOS架构。在芯片尺寸,顺序,写入性能和写入能量/位方面实现领先地位。

NAND演进趋势:通过技术转型提升领导地位

NAND Flash技术从2D向3D发展,驱动驱动单位晶圆容量(Gb/wafer)增加。

64层之后,NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。

DRAM和NAND成熟产量的时间缩短了一半以上

3. 会议纪要

Date: 2019-05-23

公司参与者

•Farhan Ahmad,'投资者关系'

•Scott J DeBoer,'技术开发执行副总裁'

•David A Zinsner,'高级副总裁兼首席财务官'

Scott J DeBoer,'技术开发执行副总裁'

下午好。 我是美光科技技术开发执行副总裁Scott DeBoer。

欢迎参加这个网络直播,我们都关注我们如何加速美光的存储和存储创新。 今天,我将演示相关的关键技术更新。 在去年的美光分析师大会主要聚焦于 Micron对我们的团队,我们的核心技术创新,以及对我们的强烈关注提高我们的执行力,这将继续使我们整体竞争技术地位的加强。

我将从了解团队的最新情况以及我们专注于为公司提供核心技术开始。 我们为我们的技术团队感到自豪,致力于开发技术,并且这些技术将在未来推动我们公司发展的产品。 我们相信,我们的全球人才具有重要的竞争力优势,这将推动我们的创新。 在美国专利方面被公认为前50强公司并获得认可作为多元化的最佳雇主,这是我们感到非常自豪的。

我们将吸引世界上最优秀的人才加入美光。一个人的教育资历和行业经验,我们将其形成指标,专注于提高标准。 我们拥有很好的工作场所,有助于我们吸引新人才到美光。 另外,无论是在K-12还是在大学,我们支持与人工智能相关的STEM教育,并与全球顶尖大学密切合作。

在多元化方面,我也很高兴地注意到参加2018财年研发实习计划的学生中约有50%仍然存在。 我们将继续加强我们的核心研发能力和BOISE关键人才和基础设施增加。 我们的BOISE团队专注于我们核心的早期技术调查内存产品以及更具颠覆性的技术。 此外,我们还直接加强了我们的研发工作通过增加人才和基础设施来支持生产基地,以支持更快地执行未来技术交货。

我们的全球R&D模型经过优化,可以有效地执行颠覆性技术,同时确保我们在生产设施内直接拥有足够的能力,提供世界领先的技术资格和产量。这种双管齐下的技术开发方法不仅使我们能够在最有效和最灵活的环境中执行不同阶段的开发计划,而且还允许Micron独特地利用我们多元化的全球人才基础。 这个全球技术团队驱动我们的资源专注于提供差异化技术,支持我们在各种不同的业务客户的需求和需求。 内存和存储解决方案的功耗,性能,密度,延迟和成本。

正如我之前提到的,今天我们产品差异化的机会比以往任何时候都要大。无论是DRAM,NAND,3D XPoint还是其他新兴内存技术,我们的团队都专注于此为我们的客户提供独特的功能。 丰富的产品和解决方案组合满足了我们的关键需求顾客。 无论是功率,外形,性能,可靠性还是其他属性,我们都能应对挑战我们与本幻灯片所示的市场范围内的客户合作,设计内存和存储解决方案继续提供。

现在,我将继续详细介绍与客户合作推出的特定功能技术。我们继续拥有业界最全面的技术组合,由全球人才和企业提供支持我在之前的幻灯片中描述过的基础设施。 今天,我将提供更新自从去年的分析师会议上的NAND和DRAM技术进展。

我们将大大提高2018年的竞争地位,距最先进竞争者大概约10%至15%的距离。我将在接下来的两张幻灯片中展示我们的进步,我们的团队始终致力于通过最佳竞争对手缩小任何技术能力GAAP。今年,我们将在我们的1z纳米技术上推出业界首款LPDDR4 16-gig monodi解决方案。 目前,这一领先的移动存储产品正在进行客户资格认证。

我们目前处于1z技术爬坡的过程中,我对正在取得的进展感到高兴。 我将在几分钟内详细讨论我们的执行情况。 我们对1z技术节点聚焦,包括改善成本、提升产品性能。 一些例子如本幻灯片所示,包括运行常见应用程序的移动设备中DRAM性能的重要功率指标,如播放音乐和观看YouTube视频。

如图所示,与我们的1z节点竞争相比,我们提供了出色的功率性能,类似于我们在1X和1Y节点上完成的功能。我们将继续提升我们的竞争地位1z节点斜坡,但我们认识到我们还有很长的路要走,我们将继续关注成本和性能领导。 总体而言,在查看此幻灯片的行业趋势时,随着技术挑战导致连续节点的水平降低和改进,DRAM演进速度明显放缓,无论是从“单位晶圆位元增长”的角度,还是从“单位位元成本降低”的角度。

随着与扩展相关的资本支出强度持续增长。没有过渡的成本正在挑战最终目标扩展的好处。 虽然每个节点的位增长率较低且每个节点的成本降低较少的趋势非常明显,当然,我们也不会看到历史上发生的节点到节点改进的类型。 我们的队伍仍然专注于提供可提供可行回报的未来节点的艰巨任务。

我们相信,我们将全球人才和广泛的DRAM经验相结合,使美光公司独一无二。尽管我们面前存在障碍,但能够识别创新方式以提供可行的未来技术节点。 如我们来看看DRAM技术路线图。 我们目前专注于四个节点和不同的开发阶段。 超越我们的一个更好的节点,我们的重点是在物理和成本困难的情况下确定可行的解决方案挑战节点呈现。

我将在接下来的几张幻灯片中讨论我将对此进行更多讨论,但光刻技术不是基本的DRAM扩展局限性。 Micron的模式乘法技术是一个战略优势,它是我们打算继续的利用接下来的几个DRAM节点。 显示了技术与EUV的多模式的相对成本结构幻灯片中的图表是未来DRAM节点的功能。 该技术最初是由Micron和我们推出的继续推进多图形光刻加工的成本结构和技术能力。

根据我们已经完成的开发工作,我们对技术能力和成本充满信心。通过我们的1-gamma节点,我们的多模式方法对1z节点的效率。 也就是说,我们正在进行中评估DRAM的EUV光刻技术,以确保我们在技术能力方面做好准备改进到与我们的路线图完全一致的程度。当EUV性能对Micron有利时,我们将为EUV的实施做好准备。 如上所述,我们一直在关注EUV DRAM的选项在此图表中,您可以看到对高级DRAM节点的评估。

那么,就1z和1-alpha节点上某些级别的过程能力而言,EUV肯定是可行的。 我们的专有的多图案技术在成本方面仍然明显优于EUV曝光选项这些节点的结构。 对于更高级的节点,EUV可以在非常低的暴露剂量下达到总体成本平价,但在这些条件下,图案质量是不可接受的。 或者,如果处理非常高的曝光剂量使用时,可以改善图案质量以便可能使用,但是在这种情况下,成本显着更高比多图案替代品。

考虑到这些因素,我们不打算在不久的将来实施EUV,但随着技术的进步,我们将继续关注最佳拦截点。 与DRAM类似,我在去年的分析师会议上讨论了我们有竞争力的NAND进展。从2013年以来我们取得了巨大进步,我们的领先技术大约是每个晶圆的千兆字节数的60%,而我们最先进的竞争对手是2018年基于阵列技术的96层CMOS的竞争优势。 我们在过去一年中的持续进展将在接下来的几张幻灯片中展示。

过去一年,我们在replacement gate技术方面取得了可靠的进展,为我们的过渡提供了信心战略。 虽然我们目前专注于此幻灯片上显示的128层技术。 我们的整体战略涉及到首先建立一个较低层的栅极技术试验线,为128层量产爬坡做准备。 我们的成功实现了栅极技术(replacement gate)NAND,利用该试验线获得产量大大提高了我们的信心和经验,因为它与在竞争时间线上的128层节点上执行有关。

提醒一下,我们的RG技术是阵列概念下业界领先的CMOS的独特组合,结合我们的第三代阵列堆叠技术和带电的RAP [ph]电池技术。 这个技术特征的组合使领导和模具尺寸顺序正确的性能和正确的能量比特,这些都是我们服务的市场的关键属性。 与DRAM类似,CapEx强度和工艺复杂度也是如此结合起来,减缓单位晶圆位元增长,并在未来几年内限制成本降低的速度。 平面到3D之后,制程进步带来的增益正在减少。

64层之后,单位晶圆位元增长将放缓,因为该行业将专注于更传统的从一个3D节点转换到下一个节点,而不是我们过去看到的平面到3D转换。 如图所示,在这张幻灯片中,由于资本支出的直接结果,过去几年每个节点的成本降低趋于稳定强度和过程复杂性。 除了我们最初的替代品之外,NAND的路线图和开发正在进行中128层节点的官方替换门转换。

我们相信,随着我们从浮动中融合,我们将非常有能力推动成本和绩效领先栅极到替换栅极转换,并专注于提供TLC和QLC替换栅极的下一个节点NAND。新的Micron将把我们的性能提升到更高的水平,当然,还在不断挑战我们自己改善运营执行是这方面的一个关键方面。 我今天要以一个例子结束我们努力改善美光的执行力度。 在此之后,将技术推向成熟产量所需的时间最初开发的是一个关键的执行指标。 对于DRAM和NAND来说,这个时间减少到基准水平和超越一直是我们开发和制造团队的重点。

如本幻灯片所示,我们在过去几年中取得了重大进展,并且我们的产量增加了,DRAM和NAND的成熟产量减少一半以上这个执行的重要性考虑到我们面临的复杂性,难度和扩展性的增加,改进得到了放大其他行业。 这是美光团队非常自豪的结果。 我们专注于创新,技术加速和过去几年的执行导致我们整体竞争技术的重大进步位置。 正如我在一年前所说并且仍然相信今天,Microns在核心技术方面处于更有利的地位能力比过去25年的任何时候都要多。有了这些,我想感谢大家参与今天的网络直播并打开问题。

Q: 也许在持久性存储器中是许多AI应用程序的对话主题数据中心是3D交叉点您的解决方案或者您是否有其他产品和开发可能会下降进入持久成员的类别。

A:是。 我们当然有3D交叉点作为我们在该应用阶段的解决方案之一。我们正在开发其他产品,具有不同的新兴存储。 另外还有一些应用程序可以通过标准年终需求的组合来满足。 那些人从需求中坚持不懈。

Q:好的,只是在 - 可能在开发的成本方面,你可以利用3D交叉点NAND和DRAM有足够的相似性,你可以[ph]使用你的一些开发对于3D交叉点有NAND。

A:有一些相似之处,但很可能,你知道,我们实际上已经在很长一段时间内处理3D交叉点了因此虽然有一些工具集相似性,但技术实际上却完全不同。 所以NAND或者专业知识

我们在NAND上所做的工作并没有增加3D交叉点的能力,但它仍然很长许多年前开始的开发过程MicronTech [ph]。

Q: 第一个,斯科特你提到了EUV上的一些数据点我只是好奇的是基于那个EUV 3400B所以我们什么时候应该听取你对deceit [ph]版本研发的结果,因为ASIMO [ph] 我已经谈到了重大进步,我们是否会等到明年进行同样的更新,或者我们应该能够回来给我们更新一下? 我有一个后续行动。

A: 为了清楚起见,我们对EUV的评估和我们的评估实际上是基于完整的路线图EUV不仅仅是3300B如果你看一下这种模式技术,可能为什么你[ph]问了这个问题3300B从分辨率点来看与下一对工具非常相似,但是当我们看到时,我们会看到的路线图,根据最新工具功能的吞吐量来评估拦截点的位置。我认为你也有一个后续问题,对吧。

Q:当您更改NAND底层技术时,是否存在对第三方的任何知识产权许可

我们应该考虑什么?

A:不会。我们在NAND技术方面拥有强大的知识产权地位,历史上拥有超过40,000项专利。 我们与NAND技术相关的IP非常强。

Q:是您提到了从2D到3D的过渡产生了大量的问题比特增长但现在转换已经结束,我们现在正在进行3D内部的正常迭代节点到节点的转换会慢一点。 我想知道你是否可以谈一谈这个问题进一步的细节,每个节点会减慢多少以及相关的成本降低,如何平衡每个节点? 谢谢。

A:我可以谈谈近期的情况,也许只是我们看到行业的一般情况,但总体而言是成本。我所展示的减少量在过去几年中基本保持平稳。

我认为NAND就像DRAM一样,对于拥有这种产品的行业来说将是一个非常重要的挑战成本降低甚至水平,所以可能继续下降一些。 如果你只看3D技术,当你从 - 通过这些前几个节点,你从我们的32层到64层,我们基本上加倍了。 这是一项重大改进。 当我们进入数百层时,我们正在研究什么百分比增长是我们作为一个行业的下一个节点,增加的百分比将会减少。

如果你只看我们从96层到今天我们谈到的下一个节点,128。只是在同一区域或更低的位的质量增加,当我们来自平面时,增加是非常可观的。 当我们从15或16纳米的平面达到64层时。单位晶圆位元容量增加很大但很明显,在这个过渡期间,历史性的增长很大。

Q:而对于128,你看到第一个应用是什么样的?

A:当然。 我们的终端市场一般不会发生重大变化,我们有移动产品,我们有SSD产品,我们将与客户合作,找到最适合的产品,但我不会在那里看到一个很大的变化。

Q:我想建立在最后一种评论的基础上。 我认为上一季度甚至是评论之前的四分之一左右,从成本下降的角度来看,这将是一个挑战。 所以我很好奇,首先,我该怎么想? 而且我认为你甚至提到了相当有限的事实,在您的产品组合中实施该流程节点,以及我们如何考虑使用替换门从那里到1YY流程节点的进展,您如何 - 您希望缩短该周期? 我的意思是试着了解多长时间 - 首次实施栅极技术可能会有点成本劣势?

A:当然, 这是一个很好的问题,有几个部分,正如你所提到的,我们之前说的是128层节点不会提供同样的成本优势,部分原因是因为我们来自FG的96层节点。从成本角度来看,这真的很特别。 所以,当我们去我们的128层节点并谈论好处时在这段时间内没有实质性的,我们真的不是说我们的128层节点会是这样比我们的竞争对手差很多。

这真的是我们来自一个非常强大的地方,我们有一个大资本改变和参与从FG,RG切换所以我们认为我们的部分将在128级竞争,它不会是那种降低成本我们以前见过节点到点。 所以,想想我们在之前节点上得到的一半。 当我们超越那么,我们将专注于尝试相对于我们的业务而言,具有行业竞争力的成本降低,预测那些超出其范围的技术将拥有在前一个节点上成熟产量的技术。在工具集中具有更好的通用性,让我们推动一个良好的成本降低路径。

Q:然后这是一个快速的跟进。 我很好奇你谈到的一些关于技术本身的事情到芯片级别,但我从产品角度或者他们的东西的路线图角度来看,我很好奇NAND Flash一边是NVMe企业,SSD甚至是3D Xpoint的商业化任何变化这些解决方案的路线图。 谢谢。

A:正如我们今天和之前提到的那样,我们当然认为128层节点不是完整的产品组合节点,因此在更改方面,128层节点将发生重大变化。当我们看得更远并且我们整个投资组合完成时,将在下一个节点上处于稳定的位置投资组合。 在那一点上肯定会有3D Xpoint产品在市场上出售,我们将有其他机会在NVMe和其他方面,我们今天没有宣布任何这些,但我认为我们所有这些东西都将由我们的第二代栅极技术进行。

Q:我想第一个问题,我认为在3D Xpoint方面,我们一直专注于数据中心服务器的机会其他地方不那么专注。 我很想听听那些机会是在服务器市场之外? 那些地区的坡道时间表是什么样的?

A:是。 我们今天没有宣布任何新产品,我们过去曾谈到我们确实看到了3D Xpoint的机会,包括移动、数据中心、各种不同的应用中,我们认为这些应用程序将继续扩展,但没有新的谈论当天,但我们绝对专注于产品创造和创造价值凭借美光和英特尔创造的这一独特技术,并在未来几年内处于有利地位这就是我们业务中更重要的一部分。

Q: 我很好奇,如果你能对华为发表评论的话。就你的曝光而言,他们的影响是收入,无论你的库存我主要依据手机AMCP那边,这是否真的可以,我想你可以提供的禁运周围的任何其他颜色? 谢谢。

A:是的,当然。 因此,很明显,周四晚上我们被禁止出口华为的机构[ph]产品,有人期望获得特别许可证 - 这将在周一公布。

但是,许可证确实特定于支持已安装的产品或已售出的手机。 所以当我们是另一个时,这对我们的影响微乎其微,所以截至周四晚上,我们不会向华为发货。今天[ph],如果你看过第一季度和第二季度的10-Q,华为占我们收入的13%。 显然,这将有一个财务影响,我们将在业绩说明会上向您更新。

因此,我们不打算立即更新与此相关的任何内容。 在这一点上,我们显然希望快速解决方案,但与此同时,我们积极关注其余的客户群,当然需要得到支持和服务,以及我们正在谈论的所有倡议,如Scott谈论我们的技术和成本,改善我们的组合。 一直以来,我都会说真正专注于管理,公司在经济上有纪律。 再说一次,我们希望快速解决这个问题,但我们不知道远远超过 - 我认为比其他人做的更多,所以我们只需要等待,看看它是怎么回事。

Q:我是代表Tim Arcuri问的。 斯科特,所以我明白你有点说在短期内没有EUV,但是你

你也一直在探索它。 就最终决定在未来节点上进入EUV做出决定。 多少您是否会想到,您是否必须在未来的节点上使用EUV?

A:我们正在寻找去年谈到我们如何设置开发流程的好处之一现在更进一步,并在节点上做更多的早期开发准备,这是其中的一部分在过去的几年里,有什么能帮助我们提高我们的竞争地位。

因此,我认为我们有足够的时间来提前确定一个给定节点至少提前两三年。由于各种原因,他们会想要批量生产。 我认为,未来几年我们非常有信心。我们也相信,我们密切参与并致力于EUV技术,并确保这一点,当我们需要它时,我们有那条跑道。 在接下来的几年里,多模式技术就是这样的在我们的业务战略中明确表示我们处于良好状态并且我们将继续关注它。

Q:我想128层,您还在考虑堆叠还是在考虑非堆栈版本?

A:好。那是 - 我们不会谈论技术细节。我们已成功运行堆栈NAND技术已经多代了。今天,我告诉过你我们将在128层完成。这是 - 它显然是将技术延伸到未来的方向。确切地说,我们如何建立1yy以及更远当我们接近它时,更多地谈论它。

Q:当您转到NAND上的128层节点,然后转到1yy和2xx。您的晶圆周期时间通过晶圆厂会发生什么变化,是上升,下降还是保持不变?

A:整个周期时间取决于NAND真正[ph]想要上升,因为从根本上来说增加层数是更多的薄膜,更多的晶圆复杂性。但与此同时,我们正在与我们所有人合作关键供应商,以确保我们有合适的解决方案,以尽量减少增加或减少的时间某些步骤中的循环时间量。因此,我们的重点显然是尽可能减少周期时间的增加量节点到节点我们通过与供应商合作以及通过创新方法实现这一目标准确地改变,我们如何构建NAND以确保尽可能高效。所以它会上升一些但是我们绝对专注于尽可能地减轻这种情况。

Q:在DRAM上,你已经描述了几代后代,听起来就像所有人一样 - 与线缩放有关。 您是否正在寻找具有比直线更具异国情调的任何替代未来节点,并且同时进行缩放 - 就像NAND从缩放到3D的方式那样有没有其他DRAM选择?

A:就这一点而言,DRAM非常复杂 - 在NAND上没有一个明显的解决方案,你只需在它上面翻转它一边建造它。因此,我们正在研究在未来更有效地构建DRAM的许多方法。就像我们之前谈到的那样,研究不同类型的内存技术。所以我们有方面肯定在看,我们觉得我们有一些有趣的事情,我们在投资者处谈过一些有趣的事情前一天,相对于新兴的内存和可以适应的应用程序类型,但我们没有谈论任何今天特定的新DRAM架构。




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